tungsten diselenide

imec、ASML、台积电实现2D晶体管50nm间距

imec、ASML和台积电已成功在300mm晶圆上制造了互补型2D材料晶体管，实现了50nm的间距。这一突破将n型和p型晶体管与原子级薄的2D沟道集成在一起，是克服硅尺寸限制的重要一步。该工艺利用单次极紫外（EUV）曝光打印出短至28nm的沟道，94%的晶体管功能正常并表现出高开关电流比。通过集成两种极性并在标准生产设备上实现，利用新颖的“反向”薄膜晶体管流程解决接触电阻问题，这一成就标志着2D晶体管尺寸扩展的一个里程碑。