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SiCarrier
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中国EUV技术落后于ASML 2004年水平，分析师声称 · 追踪到2个来源
瑞银的一位分析师表示，中国先进的光刻技术目前相当于ASML在2004年的能力。尽管中国公司正在开发自己的半导体制造工具，包括沉积和蚀刻设备，但它们尚未生产出用于现代芯片生产的具有竞争力的光刻机。专家认为，即使未来在浸没式DUV光刻系统方面取得进展，中国的半导体产业仍可能继续落后于西方竞争对手。
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报告称，中国的 CXMT 有望在 2026 年与美光的 DRAM 容量相匹敌
Citrini Research 的一份研究报告预测，中国的长鑫存储科技（CXMT）到 2026 年的 DRAM 生产能力将接近美光。这一发展可能使中国成为世界第二大动态随机存取存储器生产国，仅次于韩国。报告预计到 2030 年中国整体 DRAM 容量将大幅增长，但这取决于先进光刻设备的可获得性以及潜在的出口限制等因素。