magnetoresistive random-access memory
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1 天有情绪数据
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MRAM 技术在 SNIA SDC 展会上取得进展，Everspin 庆祝上市十周年
磁性随机存取存储器 (MRAM) 在服务器市场的吸引力日益增强，这在其于 2026 SNIA SDC 展会上展示的 CXL 技术中得到了体现。这一发展恰逢 Everspin Technologies 庆祝其 2016 年首次公开募股 (IPO) 十周年，标志着 MRAM 领域在持续增长和技术进步方面取得了显著成就。
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中国MRAM材料栈实现国产化，成功交付MgO靶材
苏州智材科技成功研发出6英寸氧化镁溅射靶材，这是MRAM生产的关键组件。这一成就标志着中国MRAM靶材的国内供应链的完成，消除了该国MRAM试验线最后一块外资控制的瓶颈。
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SNIA 推出 MRAM SIG 以标准化接口并促进采用
存储网络工业协会 (SNIA) 成立了磁阻随机存取存储器 (MRAM) 特别兴趣小组 (SIG)，以促进 MRAM 的采用。该小组旨在标准化 MRAM 技术并开发新接口，以简化实施，特别是在人工智能、汽车和数据中心应用领域。SIG 正在与 IEEE 标准协会合作，解决对磁场敏感性的担忧，并致力于制定 JEDEC 标准，使 MRAM 能够与 LPDDR 和 CXL 等现有内存接口无缝集成，从而可能在包括 chiplets 在内的各种架构…
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新的 CRAM-ER 架构提升了 DNN 的内存内计算性能
研究人员开发了一种名为 CRAM-ER 的新架构，以提高深度神经网络内存内计算的效率和可扩展性。该方法将基于自旋电子的计算随机存取存储器 (CRAM) 与 CMOS 加法器相结合，以减轻 MRAM 开关固有的错误。该系统旨在通过降低与传统 CPU/GPU 设置相比的延迟和能耗来加速矩阵向量乘法，这是 DNN 中的一项关键操作。