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实体 IEEE/JSAP Symposium on VLSI Technology and Circuits

IEEE/JSAP Symposium on VLSI Technology and Circuits

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  1. RESEARCH · CL_100738 ·

    行业巨头在50纳米间距集成二维晶体管,后硅时代临近

    行业领导者imec、ASML和台积电已成功在300毫米晶圆上制造出50纳米间距的互补型二维材料晶体管,这是迈向后硅时代的重要一步。这项在IEEE/JSAP超大规模集成电路技术与电路研讨会上展示的突破性技术,利用单次极紫外光(EUV)光刻曝光即可制造出短至28纳米的沟道。集成晶体管表现出高开关比和近乎完美的开关特性,其中n沟道器件使用二硫化钼,p沟道器件使用二硒化钨或二硫化钨。通过颠倒传统晶体管制造工艺,将金属触点置于二维沟道下方,这项…