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Hybrid bonding using dummy bonding contacts
Hybrid bonding using dummy bonding contacts
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AI热潮加剧内存芯片供应紧张，影响消费电子产品
全球对AI数据中心的需求正导致内存芯片（尤其是高带宽内存HBM）严重短缺。这使得三星和SK海力士等主要制造商的库存水平降至十天以下，可能影响消费电子产品的价格。HBM的生产正在挤占传统DRAM的产能，影响智能手机和PC的组件。展望未来，HBM4的推出预计将进一步加剧生产压力，预计到2026年全球AI基础设施投资将达到1.3万亿美元。这种稀缺性也推高了GPU价格，据报道英伟达已将其成本提高了20-30%。
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HBM混合键合延迟至本十年末，逻辑芯片应用取得进展
混合键合，一种铜对铜芯片连接技术，已用于逻辑芯片的高产量生产，但其在高带宽内存（HBM）上的应用已推迟。最近的JEDEC决定允许HBM4继续使用不太先进的微凸块技术，将混合键合在HBM上的首次亮相推迟到本十年末的HBM4E和HBM5。虽然台积电正在推进其混合键合间距，英特尔已将其应用于服务器CPU，但内存领域的延迟归因于此JEDEC决定。
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华为在2026年麒麟芯片混合键合技术上领先
据报道，华为在先进的混合键合技术方面取得了重大突破，其2026年麒麟智能手机芯片的键合间距达到1.5微米，超越了竞争对手。该公司计划明年将该技术进一步精炼至1微米键合间距。这一进展使华为领先于目前键合间距为6微米的台积电。