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实体 G11 3D NAND

G11 3D NAND

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  1. RESEARCH · CL_318222 ·

    美光发布采用晶圆对晶圆键合技术的400+层3D NAND

    美光宣布其下一代G11 3D NAND技术将于2027年下半年进入量产。这项新技术将拥有超过400层，并采用晶圆对晶圆键合技术，将比特密度翻倍，I/O性能提升50%，并降低功耗。这些进步预计将惠及客户端和数据中心SSD，以及需要高带宽和高效率的新兴AI存储设备。