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实体 6x6-inch photomasks

6x6-inch photomasks

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  1. SIGNIFICANT · CL_241991 ·

    台积电将于2030年采用High-NA EUV光刻技术

    台积电已宣布计划从2030年开始将其High-NA EUV光刻技术整合到其制造流程中。这项先进技术能够实现更高的分辨率，最初将使用传统的6x6英寸光掩模，并计划于2033年过渡到6x12英寸光掩模。该公司预计其A10或A11工艺节点将率先利用这项新技术来制造关键层，旨在满足日益复杂的晶体管架构和对更先进芯片的需求。