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6x12-inch photomasks
6x12-inch photomasks
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台积电将于2030年采用High-NA EUV光刻技术
台积电已宣布计划从2030年开始将其High-NA EUV光刻技术整合到其制造流程中。这项先进技术能够实现更高的分辨率，最初将使用传统的6x6英寸光掩模，并计划于2033年过渡到6x12英寸光掩模。该公司预计其A10或A11工艺节点将率先利用这项新技术来制造关键层，旨在满足日益复杂的晶体管架构和对更先进芯片的需求。
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Intel处理超过100万片High-NA EUV晶圆，超越行业总和 · 跟踪1个来源
Intel已实现一项重大里程碑，处理超过一百万片High-NA EUV晶圆，超越了行业其他公司的总和。这项在不到两年半的时间内完成的成就，展示了Intel对ASML的High-NA EUV扫描仪（包括更快的EXE:5200B型号）的先进利用。该公司还在率先开发更大的6x12英寸光刻掩模，这将实现全场曝光而无需拼接，从而提高生产速度并降低与当前拼接方法相关的成本。