三星电子正在加速开发用于量产其第七代10纳米级（1d）DRAM的设备，目标是在明年年底进行首次生产。这款新的1d DRAM的线宽为10-11纳米，预计与目前的1c DRAM相比，性能和能效将有所提升。据报道，该公司正与多家合作伙伴就此举措展开合作，生产设备计划于明年第二季度或第三季度推出。这款先进的DRAM预计将成为三星第九代高带宽内存（HBM5E）的核心组件，该内存计划于2029年实现商业化。 AI
影响 DRAM技术的进步，特别是HBM方面，对于支持人工智能和高性能计算日益增长的计算需求至关重要。
排序理由 与先进半导体制造和未来HBM技术相关的重大行业举措。[lever_c_demoted from significant: ic=1 ai=0.7]
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