韩国浦项科技大学的研究团队开发了一种新技术，以降低超薄碲晶体管的接触电阻。通过选择性地加厚与电极接触的区域，他们实现了接触电阻降低50倍，并提高了低温性能。这项突破发表在《ACS Nano》上。 AI
排序理由 发表在《ACS Nano》上的研究论文，详细介绍了晶体管的新技术。[lever_c_demoted from research: ic=1 ai=0.4]
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韩国研究人员用新技术大幅降低晶体管接触电阻
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新型半导体超薄结构可平衡低漏电和高性能
随着半导体芯片变得越来越薄，芯片内部各组成部分也在追求极限超薄化。然而，这带来了一个结构性限制，即器件越薄，越难导电。为破解这一难题，韩国浦项科技大学研究团队重新设计了超薄碲晶体管的金属—半导体接触结构，开发出一种大幅降低接触电阻的新技术。通过仅对与电极接触的关键区域进行局部增厚，他们将器件接触电阻降低至原有水平的1/50，并显著提升了低温性能。相关成果发表于新一期美国化学会《ACS Nano》杂志。（科技日报）