长鑫存储科技(CXMT)宣布计划在年底前推出其首款4F² DRAM服务器RDIMM。这项新的内存技术利用垂直晶体管显著减小内存单元的占地面积,这是三星和SK海力士等竞争对手仅在研究阶段展示的设计。虽然CXMT已为其技术申请了专利并进行了演示,但即将推出的产品的速度、容量和工艺节点等具体细节仍未披露。 AI
影响 更密集、更高效的内存模块的潜力可能会影响AI硬件的开发和部署。
排序理由 公司宣布推出一项新的、更密集的DRAM技术,可与主要竞争对手的研究阶段产品相媲美。[lever_c_demoted from significant: ic=1 ai=0.7]
- 4F² DRAM
- Cao Kanyu
- Changxin Memory Technologies
- DDR5 RDIMM
- IEDM 2023
- ISSCC 2026
- Samsung
- SK Hynix
- TrendForce
- Vertical Surrounded Gate (VSG)
- VLSI 2025
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