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中文(ZH) 谦合益邦打造全球首款4层3D DRAM存算一体芯片

千和一邦发布全球首款4层3D DRAM存内计算芯片

网易孵化的初创公司千和一邦成功研发并测试了全球首款4层3D DRAM堆叠存内计算芯片。该芯片采用了新颖的3D集成原生计算架构,显著克服了传统计算与内存分离架构的局限性。这项突破有望在数据访问带宽、功耗、延迟和处理吞吐量方面实现十倍提升,同时降低成本,使其适用于云游戏等高要求应用。 AI

影响 该芯片在内存带宽和延迟方面的进步,有望通过缓解“内存墙”瓶颈来加速AI训练和推理。

排序理由 这是来自一家专注于AI相关计算的初创公司的新型硬件架构发布,代表了重大的技术进步。[lever_c_demoted from frontier_release: ic=1 ai=0.7]

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千和一邦发布全球首款4层3D DRAM存内计算芯片

报道来源 [1]

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    千禾亿邦打造全球首款四层3D DRAM计算存储芯片

    <p>近日,3D存算一体芯片领军企业谦合益邦宣布,其自主研发的全球首款4层3D DRAM堆叠存算一体芯片成功回片并点亮,标志着4层3D DRAM堆叠存算一体芯片从技术验证正式迈入工程落地阶段。</p><p>该芯片采用谦合益邦自研的全新三维集成原生计算架构与3D DRAM堆叠技术,在全球范围内首次实现4层芯片在垂直方向的高密度集成,将计算单元与存储单元在三维空间中深度融合,从根本上突破了传统平面架构下计算与存储分离带来的“内存墙”瓶颈。</p><p>在此基础上,该芯片以逻辑层为基底、4层DRAM堆叠其上的&quot;4+1&quot;三维堆叠架构,将垂直扩…