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English(EN) Samsung Foundry updates process roadmap to move 1.4nm node to 2029 — high-NA EUV will enable 1nm-class and smaller nodes in 2030 and beyond

三星晶圆代工将1.4nm节点推迟至2029年,计划2030年采用高数值孔径EUV支持1nm

三星晶圆代工已修订其半导体制造路线图,将其1.4nm节点推迟至2029年,并计划在2030年左右采用高数值孔径EUV光刻技术用于其1nm级工艺。这一战略调整优先考虑改进其2nm级SF2系列,以提高良率和竞争力。该公司旨在将高数值孔径EUV集成到A10及以下节点,承认该技术的高成本和复杂性,并预计Tesla等合作伙伴将成为未来AI处理器的关键客户。 AI

影响 此路线图调整影响了先进AI芯片的供应链,可能影响未来AI处理器的可用性和成本。

排序理由 晶圆代工路线图更新,包含重要的节点延迟和技术采用计划。[lever_c_demoted from significant: ic=1 ai=0.7]

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三星晶圆代工将1.4nm节点推迟至2029年,计划2030年采用高数值孔径EUV支持1nm

报道来源 [1]

  1. Tom's Hardware TIER_1 English(EN) · Anton Shilov ·

    三星晶圆代工更新工艺路线图,将1.4纳米节点推迟至2029年——高数值孔径极紫外光将支持2030年及以后1纳米及更小节点

    Samsung Foundry has delayed its 1.4nm-class node to 2029, making SF2 one of its longest-lasting process technologies ever. The company also aims to start using High-NA EUV for its 1nm-class process technology in 2030.