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English(EN) SK Hynix pledges $38 billion to build two new DRAM and NAND factories

SK海力士投资380亿美元在韩国建设新的AI内存芯片工厂

SK海力士将投资381亿美元在韩国建设两家新的内存芯片工厂。一家位于龙仁,用于生产HBM和DRAM,另一家位于清州,用于生产NAND闪存。这些工厂旨在满足人工智能驱动的内存产品日益增长的需求。预计最早将于2029年6月开始生产。分析师预测,由于持续的需求以及制造商优先考虑数据中心客户,内存价格至少将保持高位至2028年底。 AI

影响 SK海力士的此次扩张预示着对AI专用内存的需求将持续强劲,可能影响AI基础设施的供应链和定价。

排序理由 主要AI硬件供应商的重大投资。[lever_c_demoted from significant: ic=1 ai=0.7]

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SK海力士投资380亿美元在韩国建设新的AI内存芯片工厂

报道来源 [1]

  1. Engadget TIER_1 English(EN) · [email protected] (Steve Dent) ·

    SK Hynix pledges $38 billion to build two new DRAM and NAND factories

    SK Hynix has announced that it will invest $38.1 billion to build two new memory chip facilities in South Korea.