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中文(ZH) 美光科技投资93亿美元扩建先进存储芯片项目,预计2028下半年出货HBM

Micron 投资 93 亿美元在日本扩建 AI 芯片,目标 2028 年出货 HBM

Micron Technology 已启动对其位于日本广岛的先进内存芯片生产设施的 93 亿美元扩建计划。该投资旨在满足人工智能驱动技术日益增长的需求,该设施预计将于 2028 年下半年开始出货高带宽内存 (HBM)。HBM 是 NVIDIA AI 处理器的一个关键组成部分。此举与三星电子和 SK Hynix 等竞争对手此前的产能扩张公告类似,其中 SK Hynix 正在韩国建造一座新的 NAND 闪存工厂。 AI

影响 此次扩建直接解决了训练和运行先进 AI 模型所需的高性能内存组件的关键需求。

排序理由 主要参与者对先进芯片制造基础设施进行重大投资。

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Micron 投资 93 亿美元在日本扩建 AI 芯片,目标 2028 年出货 HBM

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报道来源 [1]

  1. 36氪 (36Kr) TIER_1 中文(ZH) ·

    Micron Technology 投资 93 亿美元扩建先进内存芯片项目,预计 2028 年下半年开始出货 HBM

    美光科技当地时间周六(7月4日)正式启动其位于日本西部广岛工厂的扩建工程。这项总投资达1.5万亿日元(约合93亿美元)的项目,旨在生产包括高带宽存储器(HBM)在内的先进存储芯片,以满足人工智能(AI)浪潮带来的旺盛需求。HBM是英伟达AI处理器的关键组件,工厂预计将于2028年夏季左右开始出货。近期,美光、三星电子和SK海力士各自都宣布了扩充制造能力的计划。本周早些时候,SK海力士宣布,计划投资80万亿韩元(约合514.6亿美元),在韩国忠清北道首府清州市新建一座NAND存储芯片工厂。(财联社)