PulseAugur
实时 05:04:57
中文(ZH) 美光科技:预计下一代DRAM与NAND明年下半年开始进入量产阶段

Micron Technology 目标2027年末实现下一代DRAM/NAND大规模生产

Micron Technology 宣布其下一代DRAM和NAND内存节点的进展顺利,预计将于2027年下半年开始大规模生产。该公司还报告称,其HBM4 12层产品的爬坡速度是其HBM3E 12层版本的两倍,并且已产生超过10亿美元的HBM4收入。 AI

影响 Micron 的下一代内存生产时间表对于AI硬件的进步至关重要,可能影响AI系统的成本和性能。

排序理由 该项目讨论了一家主要半导体制造商下一代内存的生产时间表,这对科技行业具有重要意义。 [lever_c_demoted from significant: ic=1 ai=0.7]

在 36氪 (36Kr) 阅读 →

AI 生成摘要 · Google Gemini · 来自 1 个来源。 我们如何撰写摘要 →

Micron Technology 目标2027年末实现下一代DRAM/NAND大规模生产

报道来源 [1]

  1. 36氪 (36Kr) TIER_1 中文(ZH) ·

    美光科技:下一代DRAM和NAND预计明年下半年进入量产

    据报道,美光科技6月24日表示,下一代DRAM与NAND节点的研发进展良好,预计将在2027年下半年开始进入量产阶段。HBM4 12层产品的量产爬坡速度目前是HBM3E 12层版本的两倍。公司已经累计交付超过10亿美元的HBM4收入。(界面)