中文(ZH) 美光科技：预计下一代DRAM与NAND明年下半年开始进入量产阶段

Micron Technology 目标2027年末实现下一代DRAM/NAND大规模生产

作者 PulseAugur 编辑部 · [1 个来源] · 2026-06-24 23:34

Micron Technology 宣布其下一代DRAM和NAND内存节点的进展顺利，预计将于2027年下半年开始大规模生产。该公司还报告称，其HBM4 12层产品的爬坡速度是其HBM3E 12层版本的两倍，并且已产生超过10亿美元的HBM4收入。 AI

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36氪 (36Kr) TIER_1 中文(ZH) · 2026-06-24 23:34

美光科技：下一代DRAM和NAND预计明年下半年进入量产

据报道，美光科技6月24日表示，下一代DRAM与NAND节点的研发进展良好，预计将在2027年下半年开始进入量产阶段。HBM4 12层产品的量产爬坡速度目前是HBM3E 12层版本的两倍。公司已经累计交付超过10亿美元的HBM4收入。（界面）