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Sentaurus Device

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    研究人员开发了一种新颖的物理信息图注意力网络(GAT)代理模型,该模型直接在TCAD网格上运行,以模拟FinFET器件的行为。该方法预测每个网格节点上的静电势和载流子准费米能级,将载流子传输物理嵌入训练目标中。该代理模型展示了尺寸泛化能力,允许在较小网格上训练的模型应用于更大、更复杂的器件几何结构。与Sentaurus Device相比,GAT代理模型实现了数量级更高的吞吐量,同时保持了高精度,从而能够对多鳍三栅FinFET进行高效的…