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闪存的速度和密度受到成本和耐用性限制的挑战

闪存，主要是NAND闪存，由于其非易失性、紧凑性和与硬盘相比的速度而成为一种普遍的存储技术。然而，它也面临着每千兆字节成本较高、擦写周期有限的耐用性以及比系统内存慢的速度等限制。尽管3D NAND、TLC和QLC等设计提高了密度并降低了成本，以及SSD中复杂的磨损均衡技术取得了进展，闪存仍然会损耗，需要仔细的数据管理和备份。相变内存和MRAM等新兴技术尚未取代NAND在主流存储中的地位。