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RESEARCH · CL_40546 · May 20 · 10:20

东京研究人员公布激光驱动的存储器开关速度比DRAM快1000倍

东京大学的研究人员开发了一种新型自旋电子存储器器件，该器件利用激光在惊人的40皮秒内切换比特。这项基于Mn₃Sn的非易失性存储器技术运行时的发热量极小，并且比目前的DRAM快1000多倍。这项创新有望用于创建更高效的AI硬件和先进的存储系统。