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Kirin 9000S
Kirin 9000S
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中国利用DUV光刻技术推进芯片制造，面临成本上升和良率下降的挑战
尽管受到获取先进极紫外光刻（EUV）设备的限制，中国正通过利用深紫外光刻（DUV）技术结合多重曝光技术来推进其国内芯片制造能力。这种方法使得生产复杂芯片成为可能，正如华为Mate 60 Pro所展示的那样，但这伴随着显著的权衡。该工艺涉及更复杂的制造步骤，导致芯片尺寸更大、良率更低，并且与EUV光刻相比，生产成本更高。
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中国半导体设备行业在关键领域取得进展，但仍存在差距
中国本土半导体设备行业正取得重大进展，尤其是在蚀刻、沉积和光刻技术方面，这在无锡举行的CSEAC 2026活动上得到了展示。尽管取得了这些进展，离子注入机和检测/测量工具等关键领域仍然落后，本土化率仍低于15%。这种对自给自足的推动正发生在与美国的持续技术竞争之中，影响了SMIC和ASML Holding等公司。