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EXPO ULL
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G.Skill 发布新款 Flare X5X DDR5 内存，适用于 AMD Ryzen CPU
G.Skill 推出了其新款 Flare X5X 系列 DDR5 内存套件，旨在优化 AMD Ryzen 处理器的性能。这些套件采用了 AMD 的 EXPO ULL（超低延迟）技术，具有增强的子时序以提高速度，尤其是在没有 3D V-Cache 的 CPU 上。首发将推出一款 32GB DDR5-6000 内存套件，时序为 36-36-36-96，电压为 1.35V，G.Skill 计划很快公布更多配置和定价细节。
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MSI 主板获得类似 EXPO ULL 的 DDR5 内存调优功能
MSI 为其主板推出了一项新的“高效模式”，旨在为没有 EXPO ULL 兼容套件的用户提供类似于 AMD EXPO ULL 技术的 DDR5 内存延迟调优。该功能允许主板优化内存子时序，在某些基准测试中可能将延迟降低高达 9.8%。虽然它为延迟敏感型应用提供了性能提升，但效果可能因硬件配置和硅质量而异，并且可能导致系统不稳定。
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G.Skill 详解 AMD EXPO ULL 以优化内存子时序
G.Skill 正在详解 AMD 新的 EXPO 超低延迟 (ULL) 程序，该程序允许内存制造商优化标准 EXPO 配置之外的子时序。此功能为寻求更低内存延迟的用户提供了一键式解决方案，而内存延迟是 CPU 性能的关键因素。虽然以前发烧友会手动调整这些子时序，但 EXPO ULL 将这一负担转移给了内存制造商，从而简化了消费者的流程。