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Everspin Technologies
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MRAM 技术在 SNIA SDC 展会上取得进展，Everspin 庆祝上市十周年
磁性随机存取存储器 (MRAM) 在服务器市场的吸引力日益增强，这在其于 2026 SNIA SDC 展会上展示的 CXL 技术中得到了体现。这一发展恰逢 Everspin Technologies 庆祝其 2016 年首次公开募股 (IPO) 十周年，标志着 MRAM 领域在持续增长和技术进步方面取得了显著成就。
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SNIA 推出 MRAM SIG 以标准化接口并促进采用
存储网络工业协会 (SNIA) 成立了磁阻随机存取存储器 (MRAM) 特别兴趣小组 (SIG)，以促进 MRAM 的采用。该小组旨在标准化 MRAM 技术并开发新接口，以简化实施，特别是在人工智能、汽车和数据中心应用领域。SIG 正在与 IEEE 标准协会合作，解决对磁场敏感性的担忧，并致力于制定 JEDEC 标准，使 MRAM 能够与 LPDDR 和 CXL 等现有内存接口无缝集成，从而可能在包括 chiplets 在内的各种架构…