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实体 aluminium scandium nitride

aluminium scandium nitride

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  1. TOOL · CL_251032 ·

    中国研究人员通过AlScN技术将未来内存耐久性提高100倍

    中国研究人员通过限制纤锌矿铁电体中的氮空位移动，显著提高了下一代内存技术的耐久性。这项进展允许超过100亿次写入循环，与之前在氮化铝钪（AlScN）等材料上的成就相比提高了100倍。这项由西安交通大学、香港城市大学和复旦大学合作取得的突破，解决了关键的可靠性障碍，并可能加速铁电内存在高性​​能计算和AI系统中的应用。