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AlScN
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中国研究人员通过AlScN技术将未来内存耐久性提高100倍
中国研究人员通过限制纤锌矿铁电体中的氮空位移动，显著提高了下一代内存技术的耐久性。这项进展允许超过100亿次写入循环，与之前在氮化铝钪（AlScN）等材料上的成就相比提高了100倍。这项由西安交通大学、香港城市大学和复旦大学合作取得的突破，解决了关键的可靠性障碍，并可能加速铁电内存在高性能计算和AI系统中的应用。
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新型多任务扫描探针显微镜可自主选择测量
研究人员开发了一种名为多任务扫描探针显微镜的新方法，该方法使用高斯过程自主选择下一个测量位置和实验方案。这种闭环工作流程在一个自动化的原子力显微镜上实现，并在 AlScN 晶圆上进行了演示。该方法将快速、扰动较小的成像与较慢、更详细的测量相结合，扩展了扫描探针显微镜中的主动学习。