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RESEARCH · CL_137852 · Jul 12 · 00:19

Intel计划于2026年前通过3D堆叠彻底改革芯片设计

Intel计划从2026年开始，通过专注于3D堆叠和TSV技术，显著改变半导体设计。这一战略性转变旨在将内存组件置于更靠近处理单元的位置。此举旨在克服当前2D芯片架构固有的物理限制，特别是针对AI应用。
SIGNIFICANT · CL_116991 · Jun 30 · 02:22

中国AI芯片制造商利用3D堆叠绕过工艺瓶颈

中国AI芯片制造商正在采用3D堆叠技术来克服制造限制，并与全球领导者竞争。这种方法使他们能够绕过对先进工艺节点的需求，尤其是在EUV光刻工具受到限制的情况下。通过利用3D混合键合和堆叠，这些公司旨在实现性能提升并获得竞争优势。