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实体 256Mb SRAM

256Mb SRAM

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  1. SIGNIFICANT · CL_148764 ·

    台积电的A14工艺显示出快速的良率和性能提升

    台积电宣布其即将推出的A14制造工艺取得了显著进展,该工艺有望于2028年下半年实现量产。公司报告称,器件性能接近90%,256Mb SRAM良率为[YIELD_PERCENT]%(注:原文未提供具体SRAM良率数值,此处根据上下文推测为百分比,但实际翻译中应保留原文的缺失或明确指出),表明其开发轨迹比之前的N2工艺更快。这一进展引起了智能手机和AI/高性能计算领域客户的浓厚兴趣,许多客户计划在未来的设计中采用A14技术。