三星电子已成功开发出900层3D NAND闪存的 प्रोटोटाइप，这是内存技术的一项重大进展。该 प्रोटोटाइप 通过使用单元行（COR）技术堆叠两个450层3D NAND芯片实现，并且其功能已得到确认。这一开发是实现更高密度和更高效存储解决方案的关键一步。 AI
影响 实现了更密集、更高效的存储，这对于AI模型的训练和部署至关重要。
排序理由 半导体技术研发的里程碑。 [lever_c_demoted from research: ic=1 ai=0.7]
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