台积电正在开发一项新的内存计算技术,将内存直接集成到先进的逻辑芯片中。该方法在2025 VLSI研讨会上提出,使用集成在芯片互连层中的1T1C单元来创建低功耗、低延迟的缓存。该技术展示了快速的读写速度和高耐久性,使其成为处理器缓存比SRAM更致密的替代方案。此外,据报道,台积电正考虑应NVIDIA的要求生产3D DRAM,以解决AI驱动的内存短缺问题,这将使其与现有的DRAM制造商直接竞争。 AI
影响 这一发展有望通过更快、更集成的计算和内存来缓解AI内存短缺问题,并提高AI模型的性能。
排序理由 台积电正在探索新的内存技术和潜在的3D DRAM生产,这是由AI需求驱动的半导体行业的重要举措。[lever_c_demoted from significant: ic=1 ai=0.7]
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