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English(EN) Fudan University Quantum Flash Technology Hits Theoretical Limit: Room-Temperature Single-Electron Storage Published in Science

复旦大学实现室温单电子量子存储

复旦大学的研究人员在量子存储技术方面取得了突破,展示了室温非易失性单电子存储。这项发表在《科学》杂志上的进展利用了量子闪存技术,并在低电压窗口下运行,标志着与以往闪存技术相比的一个重要里程碑。 AI

排序理由 发表了一篇详细介绍新技术进展的科学论文。[lever_c_demoted from research: ic=1 ai=0.1]

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复旦大学实现室温单电子量子存储

报道来源 [1]

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    复旦大学量子闪存技术达理论极限:室温单电子存储成果发表于Science

    Fudan team achieves world first room-temperature non-volatile single-electron quantum storage with 0.5V window, from Nature 400ps PoX flash to Science Quantum Flash milestone.