研究人员开发了一个使用自编码器的机器学习框架,以高效地对FinFET晶体管进行建模。该自编码器将电流-电压(I-V)曲线压缩到潜在空间,捕捉了关键的器件物理特性,并能够准确地重建I-V数据。该模型还可以直接提取阈值电压和跨导等关键器件指标,在最少的训练数据下展现出高精度,从而实现快速的器件表征和仿真。 AI
影响 这项研究通过提供更高效的建模方法,有望加速半导体器件的设计和仿真。
排序理由 该集群包含一篇arXiv论文,详细介绍了一种新的器件建模研究方法。
- Autoencoder
- BSIM-CMG
- current-voltage (ID-VG) characteristics
- drain to source voltage (VDS)
- FinFET
- peak transconductance (gm)
- subthreshold slope (SS)
- threshold voltage (VTH)
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